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功率器件高壓TSDC測試系統(tǒng)的原理是什么?

日期:2024-12-12瀏覽:117次

功率器件高壓TSDC測試系統(tǒng)的原理是什么?

產(chǎn)品概述:

熱刺激去極化電流(TSDC)技術(shù)用于預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程,在該過程中,電介質(zhì)樣品暴露在高電場強度和高溫環(huán)境下。在這種情況下,電荷被分離并在介電材料電子元件中移動。盡管單個TSDC信號和HTRB性能之間的相關(guān)性表明,極化峰值越

高,TSDC曲線越大,而HTRB性能越差,但這并不能全解釋EMC在發(fā)出強放電信號時的某些故障。因此,弛豫時間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個關(guān)鍵參數(shù)。

關(guān)于環(huán)氧塑封料(EMC, Epoxy Molding Compound)TSDC測試技術(shù),為華測公司在國內(nèi)最早提及目前已被廣泛應用到更多的半導體封裝材料及半導體生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)。已證明此測試方式是有效的,同時加速國產(chǎn)化IGBT、MOSFET等功率器件的研發(fā)。如無錫凱華、中科科化、飛凱材料等企業(yè)。

產(chǎn)品原理:TSDC是一種研究電荷存儲特性的實驗技術(shù),用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫,該方法包括一個極化過程,其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強度下。在此之后,試樣在外加電場的作用下迅速進行冷卻。以這種方式,電荷被分離并固定在介電材料駐極體內(nèi)。然后進行升溫將駐極體內(nèi)的電荷進行釋放,同時配合測量儀器進行測量,并為科研人員進行分析。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導體HTRB可靠性的影響,了解到EMC在高溫、高壓條件下會發(fā)生電極化或電取向。此外,依賴于在相應的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài),它會干擾MOS-FET半導體中反轉(zhuǎn)層的正常形成。通過TSDC試驗,我們還了解了在可靠性測試中由于應用條件而導致的材料內(nèi)部極化電荷的數(shù)量也是一個重要的影響因素。

產(chǎn)品參數(shù):

設(shè)備型號HC-TSC

溫度范圍-185 ~ 600°C

控溫精度±0.25°C

升溫斜率10°C/min(可設(shè)定)

測試頻率最大電壓:±10kV

加熱方式直流電極加熱

冷卻方式水冷

樣品尺寸φ<25mm,d<4mm

電極材料黃銅或銀

夾具輔助材料 99氧化鋁陶瓷

低溫制冷液氮

測試功能 TSDC

數(shù)據(jù)傳輸RS-232  

設(shè)備尺寸 180 x 210 x 50mm



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